随着英伟达(Nvidia)透露了从三星电子(Samsung Electronics)获得尖端组件订单的计划，在新兴的高带宽存储芯片市场上，争夺领导地位的竞争正变得越来越激烈。三星电子正在寻求超越同城竞争对手SK海力士(SK hynix)。

在上周的媒体发布会上，英伟达联合创始人兼首席执行官黄仁勋公开表示支持三星电子，并公布了该公司未来将使用这家韩国芯片制造商的HBM芯片的计划。总部位于美国的英伟达(Nvidia)是先进HBM芯片的最大买家，这种芯片已成为人工智能图形处理单元的关键组件。

“HBM存储器非常复杂，附加值非常高。我们在HBM上花了很多钱，”黄仁勋周二在加州圣何塞举行的年度GPU技术会议的媒体吹风会上说。

“我还没有使用三星的HBM3E。我目前正在核实。”他补充道。“三星非常好，是一家非常好的公司。”

黄还被看到参观了三星在GTC活动上设立的展厅。他在三星的12层HBM3E处理器的侧面留下了“Jensen批准”的简短评论，引发了英伟达正在对最新型号进行资格测试的猜测。英伟达总裁没有参观SK海力士的展位。

对于黄对三星的公开支持，业内人士解释说，英伟达可能希望采取多供应商战略，以减少只有一家供应商的风险。

“从买家的角度来看，如果产品的关键部件只有一家供应商，他们会觉得不安全。他们希望与多家供应商合作，以确保在收购交易中获得更高的杠杆，”一位不愿透露姓名的行业官员解释说。

“(英伟达首席执行官)提到三星，意味着三星的产品还没有通过资格测试，这可能会有不同的理解。”

当新的存储芯片被开发出来时，它们会经过一个合格的测试过程来验证它们与客户产品的兼容性。当一个芯片是合格的，这意味着它准备开始大规模生产。

HBM芯片作为一种垂直堆叠DRAM芯片以提高数据处理速度的新技术而备受关注。HBM3目前被广泛使用，但芯片制造商正在推出扩展版本HBM3E。

SK海力士表示，已开始批量生产HBM3E，并计划在本月末之前向Nvidia供应8层HBM3E，因此预计将成为第一家向Nvidia交付8层HBM3E的供应商。

三星电子表示，为了确保优势，开发出了业界最大容量(36g)的12层HBM3E，并计划在今年上半年(1 ~ 6月)开始批量生产。该芯片巨头还证实，将在6、7月左右量产8层HBM3E。

美光科技也表示，将在今年上半年开始量产HBM3E，并将产品交付给英伟达。

虽然HBM芯片目前只占整个存储芯片市场的1%左右，但随着人工智能的蓬勃发展，预计HBM芯片的市场份额将迅速扩大。

黄教授表示:“如果有了生成式人工智能，所有数据中心的DDR ram都将被hbm取代，三星电子和SK海力士的升级周期将会很长。”

根据市场追踪机构TrendForce的数据，SK海力士目前在HBM市场上处于领先地位，占据了约53%的市场份额，而三星占据了约38%的市场份额。美国的美光科技占有剩下的9%的份额。

三星电子负责芯片事业的总经理景启炫在当天举行的定期股东大会上表示:“今年将是(三星电子)全面恢复和增长的一年。”

他还表示:“将在未来2、3年内重新夺回世界第一的位置。”并表示将于今年上半年(1 ~ 6月)开始批量生产12层HBM3E芯片。